DCDC升压芯片选型指南

主流DCDC升压芯片参数对比

选型关键参数

• 输入电压范围：需匹配系统供电波动区间（如宽输入芯片更适应电池供电设备）
• 输出电流能力：根据负载功耗计算峰值电流需求（含20%余量）
• 效率曲线：关注特定工作点的转换效率（如满载/空载状态）
• 保护功能：过流/过压/短路保护为必备（参考数据手册EN pin配置）

封装选型建议

QFN封装适合高密度PCB设计，MSOP适用于空间受限场景，BOSSAB封装散热性能更优（文献：TI Application Note SLVS058）

典型应用电路

输出电压设置公式：VO = Vref × (1 + R2/R1)（R1需配置0.1Ω阻尼电阻）

注意事项

• 避免在输入输出端直接并联不同芯片
• 散热设计需满足芯片最大功耗（Tj ≤ 150℃）
• EMI抑制需优化布局（特别是开关管与MOSFET距离）